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2N2857中文资料

  • 大小：85.56KB
  • 厂家：Microsemi
  • 描述：LOW POWER TRANSISTORS
  • 制造商：Central Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：2.5 V
  • 最大直流电集电极电流：0.04 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：30
  • 配置：Single
  • 最大工作频率：1900 MHz
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-72
  • 封装：Box
  • 集电极连续电流：40 mA
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：200 mW
  • 工厂包装数量：500

2N2857供应商

更新时间:2023-01-09 11:53:17
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